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plasma在高頻微波印制板中的運用-揚州國興技術與您探討
作者:原創 瀏覽:4095 發布日期: 2021-03-25
信息摘要:
plasma等離子體的活性很強,正是利用這個特性,驅使它和環氧或聚四氟乙烯鉆污起化學反應而消除之。在PCB生產工藝中,去鉆污使用高錳酸鉀法,濃硫酸法等,這些方面對FR4基材的多層板有效,但對PTFE基材不起作用。

plasma在高頻微波印制板中的運用,首先我們來了解高頻微波印制板相關知識:

定義

● 什么叫高頻?

通常短波頻率≥300MHz,即波長≤1米的范圍,稱作高頻。

● 什么叫微波?

通常頻率≥1GHz(100MHz),波長≤300mm的電磁波,稱作微波。

● 高頻微波印制板

在高頻微波基材覆銅板上,加工制造成的印制板叫高頻微波印制板。

類型:單、雙、多層,剛性。

高頻基材+普通FR4基材,制成的是混合型多層板。

高頻基材+金屬基,混合壓成的基材制成的印制板叫高頻金屬基印制板。

2.2 快速發展原因

● 通信業的快速進步,原有的民用通信頻段擁擠,高頻通信部分頻段(軍用)逐漸讓給 民用。民用高頻通信獲得超常規速度發展。

衛星接收,基站,導航,醫療,運輸等各個領域大顯身手。

● 高保密性,高傳送質量,要求移動電話,汽車電站,無線通信向高頻化發展。

高畫面質量,要求廣播電視傳輸用甚高頻播放節目。

高信息量傳送信息,要求衛星通信,微波通信,光纖通信必須高頻化。

● 計算機技術處理能力增加,信息存儲容量增大,迫切要求信息傳送高速化。

因此,電子信息產品高頻化,高速化對PCB提出了高頻特性的要求。

高頻微波PCB成為電子信息高新科技產業必不可少的配套產品。

2.3 對基材的要求

● 印制板的整體特性,加工性能,長期可靠性,在很大程度上取決于基板材料。

● 為達到高頻高速傳送信號,要求基材必須考慮:

1)Dk(εr),dielectric constant,或 relative permittivity,介電常數。

2)Df(tanδ),loss tangent,或 Dissipation Factor,介質損耗因素(介質損耗角  正切)。

● 基材結構:玻纖,樹脂,填料。

● CTE(熱膨脹系數)。

● 其它—剝離強度,絕緣電阻,Tg,阻燃,吸水性……

2.4 介電常數Dk

1)定義:某電介質電容器的電容與同樣構造的電容器在真空狀態下電容之比。

2)覆銅板的介電常數

● 覆銅板基板由樹脂,增強材料(布、纖維、紙),填充劑組成,構成電的絕緣體,稱為電介質。基材實際上就是整塊印制板中的一個電容器。

● Dk大,表示存儲電能大,電路中信號傳播速度就會變低。

● Dk小,電信號傳播速度就快。

● 通常,印制板上的電流信號的電流方向,是正電、負電相互交替變化的,這樣頻率化的交換,相當于 “充電—放電—充電” 的過程。在互換中,只要有少量電容存留,就會影響傳輸速度。

● 在高頻線路中,信號傳播速度公式:

V—信號傳播速度

K—常數

C—光速,3×108m/s

Dk—基板介電常數

● 降低Dk,有利于提高信號的傳播速度。Dk越大,傳輸速度就會越低。Dk越小,傳輸速度越快。

● 因此,利用PCB的低介電常數,來達到信號傳播的高速度。

這就是為什么高頻微波印制板要求低介電常數的原因。

3)低Dk基材

● PTFE(聚四氟乙烯),俗稱Teflon。

分子結構:             。分子結構是對稱的,因而具有優良的物理、化學、電氣性能。相對密度2.14~2.20。熔點327℃,吸水性(24小時)<0.01%。

● “塑料王”:耐許多強腐蝕性物質,至今尚無一種能在300 ℃ 以下溶解它的溶劑。

● PTFE,Dk=2.1,很低。

聚四氟乙烯玻纖布覆銅板,在12GHz下,Dk=2.60;在1MHz下,Dk=2.62。而FR4的Dk=4.9。

因此,PTFE的Dk比FR4低47%,PTFE印制板的信號傳播速度快40%以上。

● PTFE缺點

剛性差,銑外形毛刺多,PTH困難,成本高,加工困難。

● 除FTFE外,其它Dk低的基材

基材的Dk低,需選用低Dk樹脂,玻纖,填料。

聚丙醚Dk2.5,氰酸酯2.9,聚丁二烯3.0,環氧樹脂3.9,電子級玻纖Dk6.6,新型NE玻纖布4.4。

Dk樹脂+低玻纖布組合加工而成的低Dk覆銅板有以下幾類:

PI—聚酰亞胺環纖布覆銅板,Dk3.8;PPO—聚苯醚玻纖布覆銅板,Dk3.5;

CE—氰酸酯玻纖布覆銅板,Dk4.0;BT—雙馬來酰亞胺改性三嗪Dk4.1~4.3。

● 最低Dk的基材

Dk=1.15~1.35(不含PTFE)

介質損耗Df=0.002-0.005,比重0.35g/cc,吸水率<0.5%。

峰房式結構。輕型,不耐熱。作高頻微波金屬天線(美國Arlon公司產品)。

2.5 介質損耗因素(Df)

1)定義:

● 電介質材料在交變電場作用下,由于發熱而消耗的能量稱為介質損耗。

通常以Df或tanδ表示。也稱介質損耗角正切。

2)Dk和Df成正比例。

● Dk小,Df也小,即能量損耗也小。

● PTFE的Df=0.002,比FR4的Df=0.02低了10倍。

PTFE基材的Dk,Df都小,且穩定,幾乎沒有變化。

PTFE具有優秀的耐潮濕性,吸水率非常小。

PTFE絕緣性能很高,1014~1015歐姆。

3)其它高頻微波板材Df

● PI(聚胺亞胺)0.008;

● PPO(聚苯醚,PPE)0.003;

● CE(氰酸酯)0.006~0.008;

● BT(雙馬來酰亞胺改性三嗪)0.004~0.008。

2.6 其它性能

● 基材結構—玻纖,纖維;樹脂—環氧,PI,PPO;填料—陶瓷,云母……。(對加工工藝有影響)

● CTE(熱膨脹系數)

Dk 2.1~2.7,X-Y方向的CTE是小的,一般9-35;Z軸方向大,150-300PPm/℃(CTE對印制板可靠性有影響)。

● 其它—剝離強度,絕緣電阻,吸水性,阻燃性,Tg,耐熱性(對加工過程,產品使用有影響)。

例:Rogers R04003,玻纖+陶瓷,Tg280℃,Dk3.38,Df0.0022,加工性能同FR4相似,不阻燃,371 ℃(700℉)著火。

Rogers R04350,性能同R04003, Dk3.48,Df0.0040,阻燃94V~0。

● 基材銅厚,板厚。

銅箔—常用0.25,0.5,1.0,2.0,OZ(盎司)

板厚—0.1,0.2,0.5,直至2.4mm都存在。

通常,考慮價格性能比,用簿板,≤0.8,0.5,0.3mm常用(高頻微波基材比FR4貴幾倍,十幾倍)。

板厚通常不含銅厚。

2.7 Dk=1.15~10.2的各種板材

● 供應商:美國

Rogers,Arlon,Taconic,Metclad,GIL,Polyfon,IsoLa。

● Dk1.15~10.5,全球有100~200個品種。(見另外的附表)

● 日本:三菱瓦斯,松下,住友,日立化成,Chukok等。

● 國產:泰州高頻覆銅箔板材廠,西安704所等。

● 影響高頻微波板關鍵性性參數是Dk和Df,通常Dk最低值2.17,Df0.001。

● Dk低的板材,通常是PTFE+玻纖。

● Dk3.2-3.8,不含PTFE,其結構是聚酯,聚酰亞胺,聚丙醚,玻纖,陶瓷。加工性能類似于FR4。

● 高頻微波多層板,應選擇相匹配的半固化片(PP)。Dk2.3~3.5常用。

● Dk在不同頻率下測試會有些變化,但變化量不大。

例如:頻率從500MHz變化到10GHz,PTFE的Dk變化為0.5%,而FR4變化為7%。

2.8 高頻微波印制板基本要求:

1)Dk,介質層厚度,銅厚符合圖紙要求。

2)線寬/間距公差要求嚴格。

● IPC-6018,±10%。

● 實際上,很多客戶要求, ±0.02mm, ±0.015mm。

特性阻抗公式:

Dk—介電常數,H—介質厚度(不含銅厚)

W—線寬,T—導線厚。

上述4個因素,影響最大的是H(介質厚度),其次是Dk,W,最小的是T。選定基材后,Dk,H變化小,T(導線厚)較易控制,W(線寬)控制成為工程設計定型后生產PCB的難點之一。

線寬控制±0.02mm是關鍵。

3)導線劃傷,凹坑,缺口,針孔,不允許。

阻焊厚度會影響高頻信號傳輸。

孔內銅厚也會對信號傳輸有影響。

4)對PTFE,熱沖擊228℃,10秒,1-3次,PTH孔不發生孔壁分離。

2.9 PTFE印制板生產工藝技術

2.9.1 PTFE印制板加工難點

1)鉆孔

● 基材柔軟,疊板數不能多。

● 轉速要慢些。

● 基材磨損鉆頭利害。

● 鉆頭頂角、螺紋角有其特殊要求。

2)印阻焊

● 絲印前不能用刷輥磨板(氟樹脂的影響,附差力)。

(鈍化,水洗,吹干;化學法處理)

3)HAL(熱風整平)

● 預熱

● 無鉛HAL,錫缸溫度265℃(避免板材急速加熱,影響到導線,焊盤脫落或翹起)。

4)銑外形

選合適的銑刀和參數(否則,毛刺多)。

5)工序轉運

防劃傷、針孔、壓痕、缺口。

特制裝載轉序工具。

6)蝕刻

嚴格控制線寬。百倍鏡檢查。

(工程設計,蝕刻參數,管理……)

7)PTH—難點之一,關鍵步驟之一。

● 傳統的PTH工藝行不通。PTFE基材孔內不潤濕。

● 方法一:金屬鈉,萘,四氫呋喃液—化學法。

形成萘鈉絡合物,浸蝕孔內PTFE表層分子,達到潤濕孔的目的。

優點:效果良好,質量穩定,適宜量產。一次性投入成本不高。

缺點:毒性大,鈉易燃,危險。需強烈抽風,專門房間,專人管理。

● 方法二:等離子體法(Plasma)。

在二個高壓電極之間注入CF4,氬氣,氮氣,氧氣。PCB放在二個電極之間,腔體內形成等離子體狀態,從而把孔內鉆污、臟物除掉。

優點:效果佳,質穩定,適宜批量生產,工藝簡單,易控制,毒性小,干凈。

缺點:設備價貴。

2.9.2 雙面PTFE印制板的制造

1)工藝流程

工程設計→下料→鉆孔→孔處理→PTH →全板鍍→光成象→QC→圖形鍍→蝕刻→防氧化處理→QC→阻焊/字符→HAL(或沉Ni/An,Ag,Osp)→外形加工→FQA→包裝出貨。

2)控制要點—化學沉銅前

● 板材存放平放:下料時,不必烘板。

● 鉆孔:參數同FR4不一樣,用新鉆頭。2拼板/疊(0.8~1.6mm板厚)。

鉆頭形狀:頂角120℃,螺紋角27 ℃。

● 鉆孔后,輕度刷板,高壓水洗。磨痕寬度8-10微米。

● 孔處理:

A、化學法:

● 萘納處理槽→溶劑處理槽→熱水洗(2次) →烘干→PTH。

● 萘鈉槽:不銹鋼槽,蓋密封,充氮氣(使空氣與藥液表面形成界面,隔絕水 份,空氣進入)

● 槽架:不銹鋼。

● 鈉金屬:盛裝于煤油中,切成小塊投入槽中溶解,不銹鋼棒攪拌。嚴禁水帶入(否則會燃燒爆炸)。室溫下,浸泡幾分鐘。

● 房間:強抽風,地板干燥,不存放酸、堿或無關物品,外人不許進入,板子處理后吹干。操作人員經特殊培訓。

● 溶劑處理槽:無色透明溶劑,低沸點,易燃。室溫下浸泡幾分鐘。塑料槽。目的是去除殘余的萘鈉溶液。

●熱水洗:55℃,浸泡2-3分鐘,轉入自來水洗。

● 板子要吹干。

● 板子經處理后進入PTH生產線,不必進入除鉆污槽,從降油槽開始,正常的PTH工藝。

B、Plasma法:

● 等離子體是物質存在的另外一種表現形式,是物質存在的第4種形態(固、液、氣三態)。

● 等離子體在許多方面類似氣體,但在某些方面卻存在重要區別。

● 等離子體由帶正電荷、負電荷離子以及游離基團和紫外線輻射粒子所組成,就是說,等離子體是離子化的氣體,是一種能量提升狀態的氣體。

● 等離子體的活性很強,正是利用這個特性,驅使它和環氧或聚四氟乙烯鉆污起化學反應而消除之。在PCB生產工藝中,去鉆污使用高錳酸鉀法,濃硫酸法等,這些方面對FR4基材的多層板有效,但對PTFE基材不起作用。

等離子體對PTFE基材鉆污可以起到化學反應。

● 很顯然,等離子體及其活性是極不穩定的,需要高頻電磁場能量。當某種條件中止或消失時,等離子體組成中的各種粒子會瞬間互相選擇地結合起來,等離子體退化為原始的氣體態,活性消失,等離子體也就不再存在。

● 等離子體的生成條件。

1)一個容器腔體形成真空狀態。

2)以高頻發生器向腔體內的正負電極施加高頻電磁場。

3)在腔體內,注入所需的氣體。氣體在正、負電極間被電離,形成等離   子體。

4)當不存在抽真實狀態,高頻電磁場消失,等離子體即成為原始氣體狀態。

● 等離子體去除鉆污

在抽真空的腔體內(抽真空幾十至100m Torr [托] )

在二個正負電極中加高頻電磁場,注入氣體(CF4,N2,Oz,Hz),從而形成等離子體。

放在二塊電極之間的印制板孔內表面上的PTFE鉆污、臟物等固體與等離子體接觸起化學反應,生成新的氣體化合物被真空泵帶走,從而使PTFE印制

板孔內的氟樹脂由非極性變成極性。

● 清洗孔的二個步驟:

第一步:除毛刺。氣體CF4(25%),N2(25%),O2(50%),75℃,

15分鐘。

第二步:除孔內鉆污。氣體:N2(80%)H2(20%),75 ℃, 20分鐘。

一步法:混合氣體O2/CF4/N2(80/10/10),30分鐘,效果不錯。有人用二種混合氣體H2/N2(70%/30%)作處理R03000板材(Dk=3.0)。

使用不同氣體和比例會獲得不同效果。對不同高頻微波板材,處理用的氣體及參數也有所不同,要通過實踐摸索本企業的使用氣體和相關參數。

● 等離子體系統(設備)組成:

五個部分:腔體(方形、園形),真空泵,高頻發生器,控制器,混合氣體源。(設備系統包含不同的技術專利)。

● 板子經Plasma處理后應馬上進行化學沉銅,不應停留超過24小時。

C、孔的前處理的其它方法:

除了萘鈉化學法,Plasma法作孔的前處理外,還有其它的方法:(文獻收集)

1)復合型PTFE板,浸泡新型玻璃蝕刻液。

● 成份:氟化氫銨20%,硫酸10%,30-40℃,1-1.5分鐘。

● 過程:板子除油,清洗,微蝕,清洗,浸泡本溶液,清洗,板子進入預浸、            活化、還原、PTH、清洗、板面鍍銅、轉入光成象。

2)二步法:

第一步:氟化氫銨(10-20%),10%硫酸混合液,40℃,2分鐘。

第二步:氫氧化鈉(5~10%),硫酸亞錫(20%)混合液處理。1分鐘,   水洗,然后PTH。

3)在制板,浸泡四氫呋喃(100%)液,3-5分鐘,水洗,酸洗,化學沉銅,極面電鍍,光成象。

4)在制板,在沉銅缸前的各處理槽連續走二次(包括活化槽),再作沉銅。

● 以上幾種處理方法,來自文獻報道,僅供參考。

經典方法是鈉萘化法,Plasma法。

● 考核PTFE成品板方法:

熱風整平(250-265℃),3秒/次,3次;熱沖擊(288℃,10秒)。

作微切片,觀察金屬化孔:孔壁無剝離,鍍層和拐角無裂紋,無空洞,焊盤不起翹,孔內銅厚≥20微米。

3)控制要點——沉銅、光成象、圖鍍、蝕刻、阻焊、外形加工。

● 背光檢測,全板鍍銅后。

● 全板鍍,圖形鍍銅,低電流密度,長周期參數生產。控制孔內銅和表面銅厚均勻性。(線路銅厚不均勻,影響蝕刻,影響線寬公差±0.02mm控制)。

● 蝕刻后必查線寬/間距。(注意底片線寬工藝補償值——經驗數據總結)。

● 蝕刻后防氧化處理,苯駢三氮唑液,使銅表面形成一層無色保護膜。

● 阻焊:不許機械磨板,否則會破壞PTFE基材,影響阻焊與基材間附差差力。只能化學清洗。

有的PTFE板,阻焊劑僅印在線路上,覆蓋線邊緣0.25mm,基材上不讓印阻 焊。否則影響信號傳輸。

PTFE板軟,烘板要作特殊插架,防板翹曲,防沾污板面。

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